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J-GLOBAL ID：200903030148591190

半導体装置の製造方法及びこの方法に用いる処理液

Inventor： 後藤 日出人 ,  溝渕 孝一
Applicant, Patent owner： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
Agent (1)： 佐々木 聖孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995297737
Publication number (International publication number)：1997115875
Application date： Oct. 20, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【構成】 シリコン基板1上に形成したBPSG層2をレジストマスク3によって所定パターンにドライエッチングで加工してBPSG層2にコンタクトホール2aを形成し、前記ドライエッチング後にレジストマスク3を除去した状態で、前記ドライエッチングによる加工領域(特に、前記ドライエッチングに用いるエッチングガスとレジストマスク3とBPSG層3とにより生じた堆積物(例えば堆積ポリマー)と、レジストマスク3の除去時にシリコン基板1の表面に生じた酸化物(例えば自然酸化膜)と)を、15重量%〜40重量%のフッ化アンモニウムと0.04重量%〜0.3 重量%のフッ化水素酸(フッ酸)とを含有するバッファードフッ酸によって処理する、半導体装置の製造方法、及び上記処理液。【効果】 コンタクトホールやバイアホールの如きホールの拡張を防止して設定通りのサイズに形成しつつ、堆積ポリマーや自然酸化膜を十二分に除去でき、コンタクト抵抗の減少、配線間の短絡防止、配線の被着性、設備の汚染防止等を実現できる半導体装置の製造方法と、この製造方法に用いる処理液を提供することができる。

Claim (excerpt)：

下層上に形成した被加工層をマスクによって所定パターンにドライエッチングで加工し、このドライエッチング後の前記被加工層を残す工程を含み、前記ドライエッチング後に前記マスクを除去した状態で、15重量%〜40重量%のフッ化アンモニウムと0.04重量%〜0.3 重量%のフッ化水素酸とを含有する処理液によって前記ドライエッチングによる加工領域を処理する、半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (3)：

H01L 21/306 S ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 C