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J-GLOBAL ID：200903030149097181

弾性表面波素子の製造方法

Inventor： 上田 雅弘 ,  長町 信治 ,  波多 俊弘 ,  戸谷 一幸
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所 ,  ローム株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996083789
Publication number (International publication number)：1997275324
Application date： Apr. 05, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】 大掛かりな装置や設備を用いることなく、比較的簡単な工程によりサブミクロンオーダーの微細なIDTを持つ弾性表面波素子を良好な再現性のもとに製造する方法を提供する。【解決手段】 弾性表面波素子に必要な電極パターンのうち、少なくともIDTの電極指を除く粗大電極パターン2と給電配線パターン3を、蒸着法による成膜とフォトリソグラフィ技術により形成した後、集束イオンビームBの照射により電極指を含む残余の電極パターンと同パターンの導電領域40を形成し、メッキ法によって導電領域40上に金属膜を堆積させることで、微細なIDTを持つ弾性表面波素子を高いスループットのもとに再現性よく製造することを可能とする。

Claim (excerpt)：

圧電性基板の表面にインターデジタルトランスジューサが形成された弾性表面波素子を製造する方法であって、圧電性基板の表面に、少なくともインターデジタルトランスジューサの電極指を除いた一部の電極パターンと、それに導通する給電配線パターンとを、薄膜蒸着工程およびフォトリソグラフィ工程によって形成した後、金属をイオン種とする集束イオンビームを圧電性基板の表面に照射することによって、上記電極指を含む残余の電極パターンに対応する導電領域を形成し、次いでその導電領域および上記一部の電極パターン並びに給電配線パターンを電極として、当該導電領域の上にメッキ法によって金属膜を堆積させることを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。

IPC (3)：

H03H 3/08 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22

FI (3)：

H03H 3/08 ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z