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J-GLOBAL ID：200903030149462262

金属絶縁体転移によるスイッチング現象を利用した磁気抵抗素子

Inventor： 荻本 泰史 ,  十倉 好紀 ,  川崎 雅司 ,  和泉 真 ,  眞子 隆志 ,  富岡 泰秀 ,  木村 剛
Applicant, Patent owner： 経済産業省産業技術総合研究所長 ,  シャープ株式会社 ,  日本電気株式会社 ,  技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構
Agent (2)： 福田 賢三 (外2名) ,  福田 賢三 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000067660
Publication number (International publication number)：2001257396
Application date： Mar. 10, 2000
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】 磁気記憶装置への実用化において必須である薄膜構造において、従来知られているものより低磁場で、あるいは、同じ磁場でより大きな磁気抵抗比を示す金属絶縁体転移によるスイッチング現象を利用した磁気抵抗素子を提供することを目的とする。【解決手段】 金属絶縁体転移を示す薄膜において、その面内格子定数が、その薄膜の形成される基板の面内格子定数と一致するようにエピタキシャル成長した単結晶薄膜においては、薄膜の面内格子がクランプされバルクや単結晶のようには格子は自由に変形し得ないことを用いて、単結晶基板上に膜厚100nm以下の電荷整列相を示すマンガンを含む酸化物ペロフスカイトにクロムをドープした磁性体からなる磁性薄膜を、磁性薄膜の基板面内の格子定数を基板面に垂直な格子定数よりも小さくなるように形成し、これに電気抵抗測定手段を設けて磁気抵抗素子とする。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に膜厚100nm以下の磁性薄膜が形成されてなる磁気抵抗素子において、該磁性薄膜の電気抵抗測定手段が該磁性薄膜に接触してあるいは近接して設置され、該磁性薄膜は電荷整列相を示すマンガンを含む酸化物ペロフスカイトにクロムをドープした磁性体からなり、かつ、該磁性薄膜の基板面内の格子定数は基板面に垂直な格子定数よりも小さいことを特徴とする金属絶縁体転移によるスイッチング現象を利用した磁気抵抗素子。

IPC (2)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (2)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/10