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J-GLOBAL ID：200903030151857100

アライメントパターンの形成方法

Inventor： 田中 陽
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995139169
Publication number (International publication number)：1996335543
Application date： Jun. 06, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 不純物層パターンに対して直接位置合わせを行うことができるアライメントパターンの形成方法を提供する。【構成】 基板11上に形成した第1マスクパターン12上からイオン注入を行うことによって機能領域11aに第1不純物層パターン13を形成する際、アライメント領域11bにアライメントパターン形成用の第2不純物層パターン14を形成する。第1マスクパターン12を除去した後、アライメント領域11b上に開口部を有する第2マスクパターン15を基板11上に形成する。第2マスクパターン15上から第2不純物層パターン14を選択的にエッチング除去してアライメントパターン16を形成する。これによって、直接第1不純物層パターン13の形成位置を示すアライメントパターン16を形成する。

Claim (excerpt)：

第1マスクパターンを用いて基板の表面層に不純物層パターンを形成する際、当該基板の表面層にアライメントパターン形成用の不純物層パターンを形成する第1工程と、前記アライメントパターン形成用の不純物層パターンを露出しその他の不純物層パターンを覆う形状の第2マスクパターンを前記基板上に形成する第2工程と、前記第2マスクパターン上から前記不純物層パターンを選択的にエッチング除去してアライメントパターンを形成する第3工程と、を備えたことを特徴とするアライメントパターンの形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/027 ,  C23F 1/00 ,  C23F 1/12 ,  C23F 1/40 ,  H01L 21/265

FI (5)：

H01L 21/30 502 M ,  C23F 1/00 Z ,  C23F 1/12 ,  C23F 1/40 ,  H01L 21/265 W