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J-GLOBAL ID：200903030161594590

シランエッチングプロセス

Inventor： チュンシ ツウェイ ,  ロバート ダブリュー. ウ ,  ゲラルド ゼヤオ イン
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998180785
Publication number (International publication number)：1999067723
Application date： Jun. 26, 1998
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高密度プラズマ反応装置で低温プロセスによりシリコンに対し高選択比で選択的に酸化物のエッチングを行う。【解決手段】 主なエッチングガスは水素を含まないフルオロカーボン例えばC2F6又はC4F8であり、シラン又は同様なシリコン含有ガス例えばモノシランSiH4が添加される。フルオロカーボン及びシランは、2〜5、好適には2.5〜3の範囲の比率で添加される。本発明方法により、高いポリシリコン選択比、高いフォトレジストのファセット選択比及び急勾配なプロファイル角が提供される。選択比は、高い流速の操作で増大する。酸化物エッチングレートを増大するために、シリコンテトラフルオライドを添加しても良い。本発明方法は、チャンバ部分の温度を180°C以下120°Cまでの温度で操作しても良い。本発明方法は、広いプロセスウインドウを有する2層コンタクト構造を製造することができる。

Claim (excerpt)：

基板をエッチングする方法であって、プラズマ反応チャンバ内のプラズマに曝露されるシリコンベースのスカベンジャ表面を含むプラズマ反応チャンバ内に、前記基板を配置する工程と、ケイ素及び水素からなる第1のガス並びにフッ素及び炭素からなる第2のガスを含むプロセスガスを前記プラズマ反応チャンバ内に導入する工程と、及び前記プロセスガスを励起してプラズマとし、これにより前記基板をエッチングする工程とを含み、前記基板の酸化物は、下層のシリコンを含む材料まで選択的にエッチングされることを特徴とする基板をエッチングする方法。