Pat
J-GLOBAL ID:200903030169247740

強誘電体薄膜、電子デバイスおよび強誘電体薄膜の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石井 陽一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995240607
Publication number (International publication number):1997063991
Application date: Aug. 25, 1995
Publication date: Mar. 07, 1997
Summary:
【要約】【構成】 Si等の単結晶基板上に形成され、六方晶YMnO3 の結晶構造を有し、主成分が希土類金属元素(ScおよびYを含む)、MnおよびOであり、基板表面と平行にc面配向した強誘電体薄膜と、その製造方法と、それを用いた電子デバイス。【効果】 特にMFIS構造およびMFMIS構造を有するゲート型不揮発性メモリー用途に好適なものとなる。
Claim (excerpt):
基板上に形成され、六方晶YMnO3 の結晶構造を有し、主成分が希土類金属元素(ScおよびYを含む)、MnおよびOであり、基板表面と平行にc面配向した強誘電体薄膜。
IPC (9):
H01L 21/283 ,  C30B 29/22 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6):
H01L 21/283 C ,  C30B 29/22 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Return to Previous Page