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J-GLOBAL ID：200903030169247740

強誘電体薄膜、電子デバイスおよび強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： 矢野 義彦 ,  野口 隆男
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995240607
Publication number (International publication number)：1997063991
Application date： Aug. 25, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【構成】 Si等の単結晶基板上に形成され、六方晶YMnO3 の結晶構造を有し、主成分が希土類金属元素(ScおよびYを含む)、MnおよびOであり、基板表面と平行にc面配向した強誘電体薄膜と、その製造方法と、それを用いた電子デバイス。【効果】 特にMFIS構造およびMFMIS構造を有するゲート型不揮発性メモリー用途に好適なものとなる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成され、六方晶YMnO3 の結晶構造を有し、主成分が希土類金属元素(ScおよびYを含む)、MnおよびOであり、基板表面と平行にc面配向した強誘電体薄膜。

IPC (9)：

H01L 21/283 ,  C30B 29/22 ,  H01G 4/33 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L 21/283 C ,  C30B 29/22 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371