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J-GLOBAL ID：200903030170941499
フオトセンサの作製法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991355045
Publication number (International publication number)：1993041530
Application date： Feb. 10, 1984
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 S/Nが高く且つ均一性に優れた薄膜半導体を提供する。【構成】 非晶質シリコンからなる半導体層上にオーミックコンタクト層を介して電極が形成されている薄膜半導体の作製法において、非晶質シリコンからなる半導体層22上にオーミックコンタクト層23を形成し、その上に所望の形状の電極25,26を形成し、次いでプラズマエッチング法により露出部分のオーミックコンタクト層を除去し、しかる後に350°C以下の温度で熱処理を施す。21は基板である。
Claim (excerpt)：
光導電層上にオーミックコンタクト層を介して電極が形成されているフォトセンサの作製法において、光導電層上にオーミックコンタクト層を形成し、その上に所望の形状の電極を形成し、次いでプラズマエッチング法により露出部分のオーミックコンタクト層を除去し、しかる後に熱処理を施すことを特徴とする、フォトセンサの作製法。
IPC (3)：
H01L 31/0248
, G01J 1/02
, H01L 27/14
H01L 31/08 H
, H01L 27/14
