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J-GLOBAL ID：200903030171543080

半導体装置

Inventor： 國弘 和明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 五十嵐 省三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994185478
Publication number (International publication number)：1996032051
Application date： Jul. 14, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 平行伝導によるデバイス特性の劣化を防止し、DXセンタによるデバイス不安定動作を抑制したHJFETを提供すること。【構成】 高純度のノンドープキャリア走行層3と高濃度不純物含有キャリア供給層5'との間にノンドープスペーサ層4'を設ける。スペーサ層4'のキャリアに対する障壁高さをキャリア供給層5'のキャリアに対する障壁高さより大きくする。

Claim (excerpt)：

キャリアが走行する高純度のノンドープのキャリア走行層(3)と、該キャリア走行層にキャリアを供給する高濃度不純物含有キャリア供給層(5') と、該キャリア供給層と前記キャリア走行層との間に設けられたノンドープスペーサ層(4')とを具備し、前記スペーサ層のキャリアに対する障壁高さを前記キャリア供給層のキャリアに対する障壁高さより大きい半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭64-020669
  
• 特開平1-183164
  
• 特開昭62-219967
  
• 特開昭64-073773