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J-GLOBAL ID：200903030193369830

太陽電池とその製造方法

Inventor： 池田 光佑 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994298475
Publication number (International publication number)：1996162653
Application date： Dec. 01, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は窓層に分光透過率が大きいZnTe-MgTe固溶体を用いた新規の太陽電池で効率向上をはかること目的とする。【構成】 (1)電極層を設けた基板あるいは電極性を備えた金属基板1の上に順次、n型(あるいはp型)半導体でなる光吸収層2、ZnXーMgX固溶体を主体とする光吸収層と反対の伝導型を有する半導体の窓層3、透明導電層4が配置されている。

Claim (excerpt)：

電極層を設けた基板あるいは電極性を備えた金属基板上に、n型(あるいはp型)半導体の光吸収層、Znのカルコゲン化物ZnX(カルコゲンX=S、SeあるいはTe)とMgのカルコゲン化物MgXの固溶体ZnX-MgXを主体として光吸収層と反対の伝導型を有する半導体の窓層、透明導電層を順次積層した構成で成ることを特徴とする太陽電池。