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J-GLOBAL ID：200903030195725898

炭化ケイ素ナノロッドとその製造方法

Inventor： 板東 義雄 ,  ガオ イオハ ,  倉嶋 敬次 ,  佐藤 忠夫
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002326273
Publication number (International publication number)：2004161507
Application date： Nov. 11, 2002
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：

【課題】構造材料の補強材や半導体、あるいは光学素子としての有用性の高いSiCナノロッドを安価にかつ効率よく大量生産するための製造方法を提供する。【解決手段】亜酸化ケイ素と非晶質活性炭素を坩堝に入れ、不活性ガス雰囲気下で、亜酸化ケイ素が気化する温度まで加熱することにより、立方晶系炭化ケイ素からなる繊維状構造体であって、長さが10〜100μm、直径が20 nm〜100 nmであることを特徴とする炭化ケイ素ナノロッドを得る。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

立方晶系炭化ケイ素からなる繊維状構造体であって、長さが10〜100μm、直径が20 nm〜100 nmであることを特徴とする炭化ケイ素ナノロッド。

IPC (4)：

C01B31/36 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  D01F9/10

FI (4)：

C01B31/36 601H ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  D01F9/10 A

F-Term (16)：

4G146AA17 ,  4G146AB06 ,  4G146AC03A ,  4G146AC03B ,  4G146AD40 ,  4G146BA01 ,  4G146BC02 ,  4G146BC23 ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4L037CS29 ,  4L037FA02 ,  4L037FA20 ,  4L037PA40 ,  4L037UA02 ,  4L037UA20