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J-GLOBAL ID：200903030198981798

半導体素子の表面保護膜およびその製造方法

Inventor： 中坊 康司
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992005651
Publication number (International publication number)：1993190533
Application date： Jan. 16, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の表面保護膜に関するもので、その表面保護膜によって生じるメタル配線の断線などの問題点を除去することを目的とするものである。【構成】 前記目的のために本発明は、表面保護膜の最下層を従来のPSG膜に換えて有機系物質(実施例ではポリイミド)膜3にしたものである。かつ、その製造方法において、その保護膜3,4をパターニングするためにレジストを使わずに、上層の保護膜5をパターニングしてそれをマスクにするようにして、製造工程をも短縮するようにしたものである。

Claim (excerpt)：

半導体装置の表面保護膜として、少なくともその最下層膜を有機系物質とすることを特徴とする半導体素子の表面保護膜。

IPC (4)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/90 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭59-232424
  
• 特開昭62-293726
  
• 特開昭62-293671
  
• 特開平1-200635