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J-GLOBAL ID：200903030201239658

露光装置、及び、半導体装置の製造方法

Inventor： 牛山 文明
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992333231
Publication number (International publication number)：1994181169
Application date： Dec. 14, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】半導体基板上に整列した複数のチップの各々を所定の基準位置に対してステップアンドリピート方式で順次位置合わせする際に、従来技術の露光処理時間を短縮できるという利点を生かしたまま、ランダムエラーが大きな工程であっても高い位置合わせ精度を実現し、半導体装置製造の歩留まりを向上させる。【構成】ステップアンドリピート方式の位置合わせ時に、誤差パラメータ(並進、伸縮、回転、直交度誤差)に基づいて算出された実際のチップ配列座標値に応じて半導体基板を位置合わせする際に、前記誤差パラメータでは補正できないランダム誤差を予め前記基板上の各々のチップ位置について求めて記憶し、前記算出された実際の配列座標値に前記記憶されたランダム誤差を付加して補正し、位置決めする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設計上の配列座標に沿って規則的に整列した複数のチップの各々を、所定の基準位置に対してステップアンドリピート方式で順次位置合わせする際に、前記複数のチップのいくつかを前記基準位置に合わせた時の各位置を実測し、前記設計上の配列座標値と前記ステップアンドリピート方式で位置合わせすべき実際の配列座標値とが、所定の誤差パラメータを含んで一義的な関係にあるものとした時、前記複数の実測値と前記実際の配列座標値との平均的な偏差が最小になるように前記誤差パラメータを決定し、前記決定された誤差パラメータと前記設計上の配列座標値とに基づいて前記実際の配列座標値を算出し、ステップアンドリピート方式の位置合わせ時に、前記算出された実際の配列座標値に応じて前記半導体基板を位置決めする露光装置において、前記決定された誤差パラメータでは補正できない誤差、すなわち、ランダム誤差を予め前記半導体基板上の各々のチップ位置について求めて記憶し、前記誤差パラメータに基づいて算出された実際の配列座標値に、前記記憶されたランダム誤差を付加して補正し、位置決めすることを特徴とする露光装置。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/22 ,  G03F 9/00

FI (2)：

H01L 21/30 311 M ,  H01L 21/30 311 L