プラズマエッチング方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994123496
Publication number (International publication number)：1995335611
Application date： Jun. 06, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、酸化シリコンおよび窒化シリコン膜のプラズマエッチングにおける、エッチング特性のウェハ内均一性を向上することにある。【構成】本発明は、フルオロカ-ボンガス・ハイドロフルオロカ-ボンガスの内の少なくとも1つ以上のガスとHeの混合ガスにより構成される。【効果】本発明により、酸化シリコンおよび窒化シリコン膜のプラズマエッチングにおける、エッチング特性のウェハ内均一性を向上することができる。

Claim (excerpt)：

処理室内に導入されたガスをプラズマ化し、該ガスプラズマにより処理室内に設置された試料をエッチング処理するプラズマエッチング方法において、前記ガスとしてフルオロカ-ボン(CxFy:x=1〜6 y=4〜12)又はハイドロフルオロカ-ボン(CxHyFz:x=1〜6 y=1〜12 z=1〜12)の内少なくとも1つ以上とHeの混合ガスを用いることを特徴とするプラズマエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

ドライエツチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-244394 Applicant：ミツミ電機株式会社
特開平4-162721
特開昭64-061023

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