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J-GLOBAL ID：200903030216838515

光電変換装置

Inventor：
高橋 秀和

About 高橋 秀和


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995200711
Publication number (International publication number)：1997051085
Application date： Aug. 07, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ポリSi電極で形成されたフォトゲートを持つ光電変換装置の高感度化を課題とする。【解決手段】 空乏層を形成するフォトゲート電極とその空乏層を光電変換領域とする画素を有する光電変換装置において、上記フォトゲート電極を上記画素の領域の一部にのみ形成したことを特徴とする。また、空乏層を形成するフォトゲート電極と、上記空乏層で発生した電荷を浮遊拡散層に転送する転送ゲートと、上記浮遊拡散層の電位変化をソースフォロワ動作で読み出すためのMOSアンプとを備えた光電変換装置において、上記フォトゲート電極を上記空乏層を含む画素領域の領域の一部にのみ形成したことを特徴とする。また、上記各画素上にマイクロレンズを形成し、そのマイクロレンズの集光領域には上記フォトゲート電極を形成しないことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
空乏層を形成するフォトゲート電極とその空乏層を光電変換領域とする画素を有する光電変換装置において、前記フォトゲート電極を前記画素の領域の一部にのみ形成したことを特徴とする光電変換装置。
IPC (3)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10
FI (4)：
H01L 27/14 A ,  H01L 27/14 D ,  H01L 31/10 A ,  H01L 31/10 E
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開平4-134862
  • 特開昭61-264758
  • 特開昭62-269354
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Cited by examiner (10)
  • 特開平4-134862
  • 特開昭61-264758
  • 特開昭62-269354
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