Pat
J-GLOBAL ID：200903030223307711
マスクパターンの欠陥修正方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 静男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993331251
Publication number (International publication number)：1995191450
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：
【要約】【目的】 基板の損傷或いは光透過部の透過率の低下を与えることなく、精度良くマスクパターンの修正を行うことができる方法を提供する。【構成】 透明基板上に薄膜からなるマスクパターンを有する露光用マスクの、前記マスクパターンに隣接して余剰に存在する黒欠陥部分を除去するマスクパターンの欠陥修正方法において、前記黒欠陥部分に隣接するマスクパターンの領域に、熱伝導防止用の溝を設ける第1の工程、前記黒欠陥部分およびこれと前記溝とによって画定されるマスクパターンの領域にレーザ光を照射して、前記黒欠陥部分および前記マスクパターンの領域を熱蒸発させることにより除去する第2の工程、およびマスクパターンの欠落部分に膜材料を供給しながら、イオンビームを照射して前記膜材料またはその反応物からなる膜を形成する第3の工程、を含むことを特徴とするマスクパターンの欠陥修正方法。
Claim (excerpt)：
透明基板上に薄膜からなるマスクパターンを有する露光用マスクの、前記マスクパターンに隣接して余剰に存在する黒欠陥部分を除去するマスクパターンの欠陥修正方法において、前記黒欠陥部分に隣接するマスクパターンの領域に、熱伝導防止用の溝を設ける第1の工程、前記黒欠陥部分およびこれと前記溝とによって画定されるマスクパターンの領域にレーザ光を照射して、前記黒欠陥部分および前記マスクパターンの領域を熱蒸発させることにより除去する第2の工程、およびマスクパターンの欠落部分に膜材料を供給しながら、イオンビームを照射して前記膜材料またはその反応物からなる膜を形成する第3の工程、を含むことを特徴とするマスクパターンの欠陥修正方法。
IPC (5)：
G03F 1/08
, B23K 26/00
, C23F 4/00
, H01L 21/027
, H05K 3/00
H01L 21/30 502 W
, H01L 21/30 551
