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J-GLOBAL ID:200903030234116829

構造化された無機層を形成する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三枝 英二 (外2名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1995529368
Publication number (International publication number):1998500072
Application date: May. 16, 1995
Publication date: Jan. 06, 1998
Summary:
【要約】提案された構造化された無機層を形成する方法によると、まず:(A)一般式(I)SiX4[式中、基Xは、同一または異なって、加水分解性基またはヒドロキシ基]の少なくとも1種の加水分解性シラン或いはそれから誘導されるオリゴマー;(B)一般式(II)R1aR2bSiX(4-a-b)[式中、R1は、非加水分解性基であり、R2は、官能基を有するラジカルを示し、Xは、上述の意味を有し、aおよびbは、0、1、2または3の数値を有し、(a+b)の合計は、1、2または3である]で示される少なくとも1種のオルガノシラン或いはそれから誘導されるオリゴマー、(A)と(B)の相対的な割合は(5-50):(50-95)である;および(C)必要に応じて、ガラスまたはセラミック形成性元素を含む1種以上の化合物の加水分解および重縮合により化合物を得る。得られた化合物を、次に微細フィラーと適当に混合し、支持体に付与し、その後構造化させ、構造化されたコーティングは熱的に高密度化され、構造化された層を形成する。
Claim (excerpt):
支持体上に構造化された無機層を形成する方法であって、 (A)一般式(I)で示される少なくとも1種の加水分解性シラン SiX4 (I)[式中、ラジカルXは、同一または異なって、加水分解性基またはヒドロキシ基]或いはそれから誘導されるオリゴマー、および (B)一般式(II)で示される少なくとも1種のオルガノシラン R1aR2bSiX(4-a-b) (II)[式中、R1は、非加水分解性基であり、R2は、官能基を有するラジカルを示し、Xは、上述の意味を有し、aおよびbは、0、1、2または3であり、(a+b)の合計は、1、2または3である]或いはそれから誘導されるオリゴマー、 物質(A):(B)の量比は5-50:50-95である、並びに (C)必要に応じて、ガラスまたはセラミック形成性元素を含む1種以上の化合物、の加水分解および重縮合により得られる組成物であって、該組成物が、必要に応じて微細フィラーと混合され、得られた組成物が支持体上に付与され、付与された組成物は構造化され、構造化されたコーティングは熱により高密度化されて構造化された層を形成することを特徴とする方法。
IPC (8):
B32B 9/00 ,  B32B 17/06 ,  C03B 8/02 ,  C03C 17/02 ,  C03C 17/27 ,  C04B 41/87 ,  C09D183/04 ,  C23C 20/06
FI (8):
B32B 9/00 A ,  B32B 17/06 ,  C03B 8/02 ,  C03C 17/02 Z ,  C03C 17/27 ,  C04B 41/87 A ,  C09D183/04 ,  C23C 20/06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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