Pat
J-GLOBAL ID：200903030239290550
シリコンウェハのエッチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992014263
Publication number (International publication number)：1993206099
Application date： Jan. 29, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 シリコンウェハ上にアルミ電極、金バンプ等のパターンが形成されたシリコンウェハをエッチングすることが可能とする。【構成】 半導体圧力センサーなどの製造におけるシリコンウェハのエッチングにおいて、パターン面にホウケイ酸ガラスを陽極接合して保護することで電極パターンがエッチング液に侵されずにシリコンウェハをエッチングする。
Claim (excerpt)：
半導体圧力センサーなどの製造におけるシリコンウェハのエッチング方法において、金属電極等が配線されているパターン面を保護するために、前記金属電極等が配線されているパターン部が、保護するために接合されたホウケイ酸ガラスと接触し接合されないようにするため、電極等パターンの形成前にあらかじめ前記パターン部となるところのホウケイ酸ガラスをエッチングしたのち、パターン面にホウケイ酸ガラスを陽極接合し、前記金属電極等を保護することを特徴とするシリコンウェハのエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/306
, C23C 2/02
, H01L 21/316
