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J-GLOBAL ID：200903030239820389

半導体製造装置

Inventor： 伊野 和英 ,  橋口 知明
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 吉田 稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000011562
Publication number (International publication number)：2001203189
Application date： Jan. 20, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高周波電力を用いてウェハの表面を加工する半導体製造装置において、容易な構成で高周波電力の利用効率を高めることのできる半導体製造装置を提供する。【解決手段】 上蓋1a、側部壁および底壁を有する金属製チャンバ1と、このチャンバ1内に昇降可能に設置され、金属ベローズ24を介してチャンバ1の底壁1cに気密接続されたウェハ載置台2と、このウェハ載置台2に対して絶縁されて設けられた下部電極13と、上端が下部電極13に接続され、下端が高周波発振器18に接続されたRF導入体17と、このRF導入体17に対して絶縁されつつ上端がウェハ載置台2に連結された導体筒22とを備え、この導体筒22と上蓋1aとの間を実質的に導通させることにより、上蓋1aを上部電極としてこれと下部電極13との間に所定のプラズマを生成するように構成された半導体製造装置において、チャンバ1の側壁部と導体筒22の上端部との間を実質的に最短距離で導通させる導通手段を設けた。

Claim (excerpt)：

天井壁、側部壁および底壁を有する金属製チャンバと、このチャンバ内に昇降可能に設置され、金属ベローズを介して上記チャンバの底壁に気密接続されたウェハ載置台と、このウェハ載置台に対して絶縁されて設けられた下部電極と、上端が上記下部電極に接続され、下端が高周波発生部に接続されたRF導入体と、このRF導入体に対して絶縁されつつ上端が上記ウェハ載置台に連結された接地用導体とを備え、この接地用導体と上記天井壁との間を実質的に導通させることにより、上記天井壁を上部電極としてこれと上記下部電極との間に所定のプラズマを生成するように構成された半導体製造装置において、上記チャンバの側壁部と上記接地用導体の上端部との間を実質的に最短距離で導通させる導通手段を設けたことを特徴とする、半導体製造装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 C

F-Term (15)：

5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BC06 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F004CA05 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045EB02 ,  5F045EF14 ,  5F045EH04 ,  5F045EH07 ,  5F045EH14 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-145785   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-266015   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝