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J-GLOBAL ID：200903030245238861

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： 石井 信雄 ,  篠原 己拔
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  日本高周波株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003017673
Publication number (International publication number)：2004265611
Application date： Jan. 27, 2003
Publication date： Sep. 24, 2004
Summary：

【課題】エネルギー効率のよいプラズマ処理装置の製造コストを抑制する。【解決手段】処理容器に高周波電磁界を供給する高周波発生源30を、高周波電磁界を生成する高周波発振器11と、この高周波発振器11よりも出力電力が低くかつ発振周波数が安定した基準発振器34と、この基準発振器34により生成された基準信号を高周波発振器11に導く導波管31とから構成する。基準信号が高周波発振器11に注入されると、高周波発振器11の発振周波数が基準信号の周波数に引き寄せられ固定される。したがって、高周波発生源30と処理容器との間に設けられる負荷整合器を基準信号の周波数を基に設計することにより、負荷整合を正確に行い、エネルギー効率を向上させることができる。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

高周波発生源よりの高周波電磁界を導く第1の導波路と、この第1の導波路により導かれた前記高周波電磁界が供給されてプラズマが生成される容器と、この容器内に配置され前記プラズマを用いた処理がなされる被処理体が載置される載置台とを備えたプラズマ処理装置において、 前記高周波発生源は、 前記高周波電磁界を生成する高周波発振器と、 この高周波発振器よりも出力電力が低くかつ発振周波数が安定した基準発振器と、 この基準発振器により生成された基準信号を前記高周波発振器に導く第2の導波路と を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H05H1/46 ,  B01J19/08 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

FI (7)：

H05H1/46 B ,  H05H1/46 C ,  H05H1/46 R ,  B01J19/08 E ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H01L21/302 101D

F-Term (27)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BA05 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BC10 ,  4G075CA25 ,  4G075CA42 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4K030FA02 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F004AA16 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BC08 ,  5F004BD01 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA09 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045EH01