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J-GLOBAL ID：200903030254506879

樹脂封止半導体装置およびその製造方法

Inventor： 及川 安夫 ,  石川 和幸
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996268215
Publication number (International publication number)：1998116934
Application date： Oct. 09, 1996
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】封止樹脂の成形後の反り変形の極めて少なく、熱的試験の評価に対しても十分に耐える片面封止構造の樹脂封止半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ1、半導体チップを搭載するリードフレーム2およびリードフレーム面に平行に配置される放熱板4からなり、放熱板の1面を露出させて封止樹脂5により片面封止成形されてなる樹脂封止半導体装置において、前記封止樹脂の成型時の温度(Tm (°C))における金型の寸法を規準とした封止樹脂の硬化収縮率を Sp 、硬化した封止樹脂の熱膨張係数をKp(/°C) および前記放熱板の熱膨張係数をKb(/°C) として、温度 Tm -Sp/(Kp-Kb) は-10 °C以上、50°C以下となるような封止樹脂と放熱板との組み合わせとする。4は電気絶縁層である。

Claim (excerpt)：

半導体チップ、半導体チップを搭載するリードフレームおよびリードフレーム面に平行に配置される放熱板からなり、放熱板の1面を露出させて封止樹脂により片面封止成形されてなる樹脂封止半導体装置において、前記封止樹脂の成型時の温度(Tm (°C))における金型の寸法を規準とした封止樹脂の硬化収縮率を Sp 、硬化した封止樹脂の熱膨張係数をKp(/°C) および前記放熱板の熱膨張係数をKb(/°C) として、温度 Tm -Sp/(Kp-Kb) は-10 °C以上、50°C以下となるような封止樹脂と放熱板との組み合わせであることを特徴とする樹脂封止半導体装置。

IPC (9)：

H01L 23/28 ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  C08L 67/06 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/373 ,  C08L101/00 ,  B29L 31:34

FI (7)：

H01L 23/28 B ,  B29C 45/02 ,  B29C 45/14 ,  C08L 67/06 ,  C08L101/00 ,  H01L 23/30 R ,  H01L 23/36 M