Pat
J-GLOBAL ID:200903030254834981
配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびその形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002102693
Publication number (International publication number):2003297584
Application date: Apr. 04, 2002
Publication date: Oct. 17, 2003
Summary:
【要約】【課題】低抵抗でパターニング性能に優れ、かつ、UVオゾン処理、または酸素プラズマ処理時に発生するオゾンに対して耐性の高い、配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびその形成方法の提供。【解決手段】基体1上にCuの含有率が95質量%超であるCu金属またはCu合金からなる層2aと、その上に、Cuの含有率が50質量%以上95質量%以下であるCu合金からなる層2bの少なくとも2層を有する配線付き基体形成用積層体、配線付き基体、およびその形成方法を提供する。
Claim (excerpt):
基体上にCuの含有率が95質量%超であるCu金属またはCu合金からなる層と、その上に、Cuの含有率が50質量%以上95質量%以下であるCu合金からなる層の少なくとも2層を有する配線付き基体形成用積層体。
IPC (5):
H05B 33/26
, H05B 33/10
, H05B 33/14
, H05K 1/09
, H05K 3/06
FI (5):
H05B 33/26 Z
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, H05K 1/09 C
, H05K 3/06 A
F-Term (37):
3K007AB05
, 3K007AB18
, 3K007CC00
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4E351AA13
, 4E351AA19
, 4E351BB01
, 4E351BB23
, 4E351BB24
, 4E351BB32
, 4E351BB38
, 4E351CC03
, 4E351DD04
, 4E351DD08
, 4E351DD19
, 4E351DD35
, 4E351DD45
, 4E351DD58
, 4E351GG01
, 4E351GG13
, 5E339AB05
, 5E339AD01
, 5E339BC01
, 5E339BC02
, 5E339BC05
, 5E339BD03
, 5E339BD05
, 5E339BE13
, 5E339CC01
, 5E339CD01
, 5E339CE12
, 5E339CE15
, 5E339CF15
, 5E339DD02
, 5E339FF10
, 5E339GG10
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