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J-GLOBAL ID：200903030259054240

部分的分極反転領域の形成方法および光第二高調波発生素子

Inventor： 三浦 道雄 ,  佐脇 一平 ,  栗村 直
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992228554
Publication number (International publication number)：1993323407
Application date： Aug. 27, 1992
Publication date： Dec. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】 第2高調波発生素子用の光導波路を作成するための分極反転領域の形成方法に関し、横方向への広がりを押さえながら基板内部まで分極を反転させることを目的とする。【構成】 強誘電体からなる基板1上に金属からなるマスク5を形成するマスク形成工程と、マスク5の開口部51を通して基板1の構成イオンをプロトンと交換するプロトン交換工程と、基板1のマスク5を形成してなる面の反対側の面に電極6を形成する電極形成工程と、マスク5と電極6の間に直流電圧を印加する分極反転工程とを含み分極反転領域を基板1の内部に進行させるよう構成する。

Claim (excerpt)：

強誘電体からなる基板(1)の両面に電極を形成する工程と、該電極間に、横方向への分極反転領域の成長を抑止しつつ所定の電界を印加して、分極非反転領域(3)及び分極反転領域(4)を形成する工程とを含み、前記横方向への分極反転領域成長の抑止は、前記分極反転領域(4)を形成すべき部分にのみ、前記基板(1)の構成イオンをプロトンと交換した後に、所定の電界を印加することを特徴とする部分的分極反転領域の形成方法。

IPC (2)：

G02F 1/37 ,  G02B 6/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特表平4-507299
  
• 特開平4-264534
  
• 特開平4-335620
  
• 特開平4-280234