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J-GLOBAL ID:200903030294923251

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995338478
Publication number (International publication number):1996232060
Application date: Dec. 26, 1995
Publication date: Sep. 10, 1996
Summary:
【要約】【課題】 基板の表面に形成する被膜の厚さの分布を均一にできるプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】 主ハース30の近傍に、主ハースの中心軸に対して同心的に永久磁石35とハースコイル36を配置する。このハースコイルに供給する電流を変化させることにより、物質の溶解能力を調整したり、また、蒸発物質の蒸発粒子の飛行分布を調整する。
Claim (excerpt):
プラズマビームを発生するためのビーム発生源と、真空容器内に配置され前記プラズマビームの入射面を持つハースとを含み、前記ビーム発生源で発生されたプラズマビームを前記ハースの入射面に導き、処理を行うプラズマ処理方法において、前記ハースの近傍に前記ハースの中心軸に対して同心的に配置された環状永久磁石により定常磁界を形成し、前記ハースの中心軸に対して同心的に配置された電磁コイルにより調整磁界を前記定常磁界に重畳し、前記ハースの近傍の磁場を変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4):
C23C 14/24 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/42
FI (4):
C23C 14/24 T ,  H01L 21/203 Z ,  H05H 1/42 ,  H01L 21/302 B

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