Pat

J-GLOBAL ID：200903030296463568

半導体レーザの作製方法

Inventor： アルフレッド イー チョー ,  サン-ニー ジョージ チュ ,  クオチョウ タイ ,  エオン-ハー ワン
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991329195
Publication number (International publication number)：1994090057
Application date： Dec. 13, 1991
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、レーザ空胴を少なくとも1つの分布ブラッグ反射器(DBR)に結合することを含む垂直空胴面発光レーザの作製方法に関する。【構成】 方法はガリウム砒素基板(10)上に組成が交互になった少なくとも10層を有する分布ブラッグ反射器(30、70)を成長させることを含む。基板の成長面は(100)面方向から(111)A面方向へ1°-7°の角だけ傾いている。これにより、結果としてDBRの反射率が改善される。

Claim (excerpt)：

ほぼ(100)の成長面を有するガリウムひ素基板を準備する工程、該成長面上に分布ブラッグ反射器(DBRとよぶ)をエピタキシャル成長させる工程及びVCSELを完成させるために、少なくとも1つの追加された工程を含む垂直空胴・面発光レーザ(VCSELとよぶ)の作製方法において、該成長面は(100)面の方向から(111)A面方向に少なくとも約1 ゚、しかし約7 ゚を超えない角だけ傾き、該DBRは組成が交互になった少なくとも10層を含むことを特徴とする方法。