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J-GLOBAL ID：200903030296710042
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993001486
Publication number (International publication number)：1994204267
Application date： Jan. 08, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】半導体装置製造の後工程のウェーハマウント、ダイシング、ダイボンディング時の、半導体素子への傷、汚れ、欠けを防止する。【構成】半導体ウェハ2の表面側にウェハ保持と表面保護を兼ねた粘着テープ1を貼り付け、半導体ウェハ2の裏面側からダイシングを行ない、ダイシングにより個々に分割された半導体素子3裏面側を粘着テープ1越しにダイボンディング用治具5で押圧し、剥がすと同時にリードフレーム4または半導体集積回路容器の素子搭載部に移送し搭載する。これにより、半導体素子表面は保護されたままダイシング、ダイボンディングが行なわれ、またダイボンディング時はコレット等の治具が直接半導体素子に接触すること無く行なわれ、半導体素子の傷、汚れ、欠けの発生を防止できる。
Claim (excerpt)：
半導体ウェハを粘着テープに保持させ、ダイシング、ダイボンディングを行なう方法において、半導体ウェハの表面側に粘着テープを貼り付け半導体ウェハの裏面側からダイシングし、更にダイボンディング時半導体素子を粘着テープ越しに押圧することにより剥離し、リードフレームまたは半導体集積回路容器の素子搭載部に移送し搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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