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J-GLOBAL ID：200903030298924350
半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993212945
Publication number (International publication number)：1995066179
Application date： Aug. 27, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 SOG膜をエッチバックした後に形成する絶縁膜の密着性を向上することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上に配線2を形成した後、全面にプラズマCVD膜3を形成する。次に、プラズマCVD膜3上にSOG膜4を形成した後、SOG膜4をエッチバックして、プラズマCVD膜3の一部を露出させ、表面の平坦化を行う。次いで、前記エッチバック後の表面にプラズマを照射した後、プラズマCVD膜7を形成する。
Claim (excerpt)：
スピンオングラス膜を形成する工程と、前記スピンオングラス膜をエッチバックする工程と、前記エッチバック後の表面にプラズマを照射する工程と、を含んだことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065
, H01L 21/304 341
, H01L 21/316
, H01L 21/768
H01L 21/302 L
, H01L 21/302 N
, H01L 21/90 Q
