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J-GLOBAL ID：200903030300698664

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 寺本 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993131377
Publication number (International publication number)：1994318703
Application date： May. 08, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 絶縁基板上に形成される薄膜半導体を用いた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置(一般に薄膜トランジスタまたはTFTと呼ばれる)の構成、及びその作製方法に関する。【構成】 絶縁基板101上に設けられた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置において、ゲイト絶縁膜107をSiOx Ny で構成することにより、静電気による絶縁破壊から絶縁ゲイト型電界効果半導体装置を守るとともに、ナトリウムイオンや重金属イオンの悪影響を抑制することができる。また、上記SiOx Ny 膜をクロールシランやジクロールシランを原料ガスとして形成することにより、塩素が添加されたSiOx Ny 膜とすることができ、該膜中の塩素の作用で、さらにナトリウムイオンや重金属イオンの悪影響を抑制することができる。

Claim (excerpt)：

絶縁ゲイト型電界効果半導体装置であって、ゲイト絶縁膜が、SiOx Ny で示される材料で構成されていることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-226040
  
• 特開平3-015827
  
• 特開平1-204434
  
• 特開昭64-010222