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J-GLOBAL ID：200903030312953708
縦型MISトランジスタ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
碓氷 裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993121465
Publication number (International publication number)：1994334503
Application date： May. 24, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：
【要約】【目的】 スイッチング速度の速い縦型MISトランジスタを提供する。【構成】 N- 型の低濃度単結晶Si基板5とN+ 型の高濃度単結晶導体基板1とを貼り合わせた接合基板の裏面には、図には記していないドレイン電極Dが設けられ、また基板内部には空洞16を形成するように誘電体膜15が形成され、その上にはP- 型のウエル層20が形成されている。そして、ウエル層20にはソース領域30,ウエル電極領域35が形成され、それぞれの層を接続するように図示されていないソース電極Sが形成されている。さらに図示されていない絶縁膜を介して多結晶シリコンからなるゲート電極40が形成されている。
Claim (excerpt)：
ドレイン領域となるとともに、その主面側に一導電型の低不純物濃度層を有する半導体基板と、該低不純物濃度層表面に部分的に形成された逆導電型のウエル領域と、該ウエル領域内に部分的に形成された一導電型のソース領域と、少なくとも該ソース領域と前記低不純物濃度層とその間に狭まれた前記ウエル領域表面に対して、絶縁膜を介して配設されたゲート電極と、ウエル領域の底部に形成され、該底部において前記低不純物濃度層と前記ウエル領域とにより形成されるPN接合の底部面積を規定する絶縁膜とを有することを特徴とする縦型MISトランジスタ。
IPC (3)：
H03K 17/56
, H01L 29/784
, H01L 21/336
H01L 29/78 321 X
, H01L 29/78 321 Y
