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J-GLOBAL ID:200903030321465430

波長変換装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998136608
Publication number (International publication number):1999326964
Application date: May. 19, 1998
Publication date: Nov. 26, 1999
Summary:
【要約】【課題】 波長変換装置に関し、キャリアの散乱が充分生ずる量子ドット構造を用いることにより、変換効率ηにおける非対称性を緩和し、広帯域における高変換効率を実現する。【解決手段】 励起光、及び、励起光と異なった波長の信号光を入射して、非縮退四光波混合により信号光の位相共役波を出力する波長変換装置の活性層4を、第1の半導体層1、第2の半導体層2、及び、第1の半導体層1と第2の半導体層2との間に配置された量子ドット3とにより構成すると共に、第1の半導体層1の伝導帯エネルギー及び価電子帯エネルギーを第2の半導体層2の伝導帯エネルギー及び価電子帯エネルギーより低くする。
Claim (excerpt):
励起光、及び、前記励起光と異なった波長の信号光を入射して、非縮退四光波混合により前記信号光の位相共役波を出力する波長変換装置において、活性層を第1の半導体層、第2の半導体層、及び、前記第1の半導体層と第2の半導体層との間に配置された量子ドットとにより構成すると共に、前記第1の半導体層の伝導帯エネルギー及び価電子帯エネルギーを前記第2の半導体層の伝導帯エネルギー及び価電子帯エネルギーより低くすることを特徴とする波長変換装置。
IPC (2):
G02F 1/35 ,  H01S 3/18
FI (2):
G02F 1/35 ,  H01S 3/18

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