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J-GLOBAL ID：200903030330264561
光半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 恒久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997180896
Publication number (International publication number)：1999026647
Application date： Jul. 07, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：
【要約】【課題】 トランスファモールド用金型の型締めによるメッキ配線へのダメージを防止できる光半導体装置を提供する。【解決手段】 基板1上の透光性モールド体4に覆われる位置に、一対のスルーホール6a,6bを形成する。メッキ配線2a,2bを基板1の表面からスルーホール6a,6bを介して基板1の裏面に達するように形成する。基板1の凹部1aのメッキ配線2a上に、光学素子3をダイボンディングして搭載し、金線5にてワイヤボンディングしてメッキ配線2bに接続する。光学素子3の周囲に透光性樹脂を用いて、トランスファモールド成形にて透光性モールド体4を形成する。
Claim (excerpt)：
基板と、該基板上に形成された配線と、該配線上に搭載された光学素子と、該光学素子および配線の一部をモールドしてなる透光性モールド体とを備えた光半導体装置において、前記配線は、前記透光性モールド体の基板上の周縁部分を回避して形成されたことを特徴とする光半導体装置。
IPC (7)：
H01L 23/28
, B29C 45/02
, B29C 45/70
, H01L 23/12
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 33/00
H01L 23/28 D
, B29C 45/02
, B29C 45/70
, H01L 33/00 E
, H01L 23/12 Q
, H01L 23/30 F
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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