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J-GLOBAL ID：200903030333053464

半導体光導波路およびその製造方法

Inventor： 竹内 博昭 ,  近藤 康洋 ,  河野 健治 ,  渡部 直也
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991293867
Publication number (International publication number)：1993110208
Application date： Oct. 15, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 微小なスポットサイズをもつ選択成長リッジ光導波路を得る。【構成】 化合物半導体の(111)面をもつInP基板9上にストライプ状の間隙をもつ選択成長用SiO2 マスク13を形成し、このマスク13間に光導波路用単結晶膜を選択成長させ、基板面に対して垂直な側面(0 バー1 1)面14および側面(0 1 バー1)面15を有するリッジ構造16を設けた。

Claim (excerpt)：

化合物半導体の{111}面をもつ基板上にストライプ状のマスクを形成し、このマスク間に前記基板面に対して垂直な側面を有する光導波路用単結晶膜を設けたことを特徴とする半導体光導波路。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平4-111487
  
• 特開平1-321677
  

Cited by examiner (1)

• 特開平4-111487