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J-GLOBAL ID：200903030361560878
プローブ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993212215
Publication number (International publication number)：1995050325
Application date： Aug. 03, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 シリコンウエハを加熱または冷却した状態で電気的測定を行うにあたってプローブカードの接触子をウエハ上のチップの電極パッドに確実に接触させる。【構成】 ポリイミド薄膜内及びその表面に夫々信号線導電路である導電層31、42を形成して配線基板3とし、これの下面にシリコンと同程度の熱膨張係数を有するSiN薄膜4を接合すると共に、SiN薄膜4の下面にバンプ41を配列する。そして配線基板3の上面からSiN薄膜4の下面に亘って、バンプ41の配列領域の外側にてスルーホール21を形成し、このスルーホール21により両者を固定すると共に、バンプ41とカード本体20の周縁部の接続部とを前記導電層31、42及びスルーホール21により電気的に接続し、こうしてプローブカードを構成する。
Claim (excerpt)：
測定部に電気的に接続され、プローブカードに配列された接触子を、シリコンを基材とした被検査体の電極パッドに接触させ、前記被検査体を加熱または冷却して、測定部によりチップの電気的測定を行うプローブ装置において、プローブカードの少なくとも被検査体側の基板の材質が窒化シリコンであることを特徴とするプローブ装置。
IPC (2)：
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