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J-GLOBAL ID：200903030362075752

直流電位差法による三次元き裂の非破壊検査方法

Inventor： 阿部 博之 ,  嘉納 豊 ,  坂 真澄
Applicant, Patent owner： 新技術事業団
Agent (1)： 長谷川 文廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992256861
Publication number (International publication number)：1994109684
Application date： Sep. 25, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、構造物内に埋没したあるいは表面に露出した任意のアスペクト比と傾きをもつ三次元き裂の状態を高精度にかつ容易に定量化する手段をそなえた電位差法による非破壊検査方法を実現することを目的としている。【構成】 本発明は、任意のアスペクト比をもつ三次元き裂を構造物内に仮想的に生成して、電位差法による計測時に構造物表面に現れるであろう電位差分布をその仮想的三次元き裂に基づいて計算し、一方、構造物表面で実際に電位差分布を計測して、それら2つの電位差分布を比較し、その誤差により仮想的三次元き裂の形状、傾きなどの状態を修正し、誤差が最小となる仮想的三次元き裂の状態を求めるようにしたものである。

Claim (excerpt)：

定電流源に接続された電流入出力端子と、前記電流入出力端子の間に設けられた電位差測定端子と、前記電流入出力端子および前記電位差測定端子を用いて検査対象の構造物の外表面上の二次元的に分布する複数の位置で計測された電位差データを解析するデータ解析装置とを用い、電位差法により構造物内の実際の三次元き裂の状態を定量化する非破壊検査方法において、前記データ解析装置に、構造物内で表面につき出しておらず埋没したあるいは表面に露出した任意のアスペクト比と傾きをもつ仮想的な三次元き裂の状態を設定し、上記設定した仮想的な三次元き裂の状態に対応する構造物表面上の仮想的な電位差分布を求め、上記求められた構造物表面上の仮想的な電位差分布と、前記電流入出力端子および前記電位差測定端子を用いて計測した構造物表面上の電位差データに基づく実際の電位差分布とを比較し、仮想的な電位差分布の誤差を求め、上記求めた仮想的な電位差分布の誤差に基づき、上記設定した仮想的な三次元き裂の状態を修正し、上記各処理を前記誤差が最小となる方向で順次的繰り返し的に実行することにより仮想的三次元き裂の状態を最適化して、構造物内の実際の三次元き裂の状態を定量的に評価することを特徴とする直流電位差法による三次元き裂の非破壊検査方法。