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J-GLOBAL ID：200903030362758183

露光装置

Inventor： 蓮見 和久 ,  島田 満男 ,  近藤 泰一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993303144
Publication number (International publication number)：1995161603
Application date： Dec. 02, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 投影光学系を用いる露光装置であって、2種類のレチクルパターンの合成を1度の露光により行う。【構成】 光源1,1aの下部にレチクル6,6aが配設され、その下部にはハーフミラー2とミラー4が配設されている。ハーフミラー2とミラー4間には、光学系レンズ5が配設され、ハーフミラー2の下部にも光学系レンズ3が配設され、その下部には、半導体ウエハ7が配設される。光源1から紫外線が照射され、レチクルパターンが投影され、その投影はハーフミラー2を通過し、光学系レンズ3に到達する。光源1aからの投影は、ミラー4に投影され、反射したレチクル6aの投影は、ハーフミラー2に到達し、再び反射され、レチクル6とレチクル6aの投影が光学系レンズ3により投影縮小され、半導体ウエハ7上に合成されたレチクルパターンが露光される。

Claim (excerpt)：

投影光学系を用いる露光装置であって、光または他の照射エネルギを照射するための第1の光源と、フォトマスクであるレチクルまたはマスクによりレチクルパターンまたはマスクパターンが投影された前記第1の光源から照射された光または他の照射エネルギを通過させる半反射鏡と、前記レチクルパターンまたはマスクパターンの投影を縮小するための光学系レンズとからなる第1の露光経路と、光または他の照射エネルギを照射するための第2の光源と、フォトマスクであるレチクルまたはマスクによりレチクルパターンまたはマスクパターンが投影された前記第2の光源から照射された光または他の照射エネルギを反射させる反射鏡と、前記反射鏡によって反射されたレチクルパターンまたはマスクパターンが投影された光または他の照射エネルギをフォーカスするための光学系レンズとからなる第2の露光経路とからなり、前記第1の露光経路の半反射鏡に、前記第2の露光経路の光学系レンズから投影されたレチクルパターンまたはマスクパターンが反射され、半導体ウエハ上に前記第1の露光経路のレチクルパターンまたはマスクパターンと前記第2の露光経路のレチクルパターンまたはマスクパターンとが投影される構造よりなることを特徴とする露光装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521

FI (2)：

H01L 21/30 514 E ,  H01L 21/30 514 F