フラッシュファイルシステム

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994520018
Publication number (International publication number)：1996510072
Application date： Feb. 28, 1994
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】フラッシュメモリ(12)、フラッシュコントローラ(14)とランダムアクセスメモリ(16)とを含む仮想マッピングシステムを設けることにより、データを書込まれていない物理アドレス場所に連続して書込むことが可能になる。仮想メモリマップ(14、16)はメモリ内のデータの場所を追跡するためにフラッシュメモリ物理場所アドレスを関連づける。

Claim (excerpt)：

書込まれていない物理メモリ場所にのみデータを書込むことが可能であり、連続メモリ場所のゾーンを同時に消去可能なメモリのためのメモリ管理方法であって、前記メモリを各々が少なくとも1つのゾーンを含む複数のユニットに編成するステップと、各ユニットを複数のブロックに編成するステップとを含み、前記ブロックの各々は複数の連続物理メモリ場所からなり、ユニットの各ブロックの状態を活性書込、非書込または削除として示す各ユニットに対する割当表を確立するステップと、ユニット内で仮想アドレスを物理アドレスにマッピングするための表を確立するステップとを含み、データを前記メモリの仮想アドレスに書込む際には、 (a) 前記仮想アドレスをユニット内の物理ブロックアドレスにマッピングするステップと、 (b) サブパラグラフ(a)で前記仮想アドレスがマッピングされた前記ユニットに対する前記割当表を調べて、前記物理ブロックアドレスでのブロックの状態が活性書込であるか非書込であるかを決定するステップと、 (c) 前記物理ブロックアドレスでの前記ブロックが活性書込状態であれば、 (1) 前記ユニットの少なくとも1つに対する前記割当表を調べて、書込まれていないブロックアドレスを識別するステップと、 (2) 前記データを前記メモリの前記書込まれていないブロックアドレスに書込むステップと、 (3) 前記仮想アドレスがマッピングされた前記ユニットに対する前記割当表を変更して、前記物理ブロックアドレスを削除として示すステップと、 (4) パラグラフ(c)(2)で前記データが書込まれたユニットに対する前記割当表を変更して、前記データが書込まれた前記書込まれていないブロックアドレスを活性書込として示すステップと、 (5) 前記表が前記仮想アドレスを前記データがステップ(c)(2)で書込まれた前記書込まれていないブロックの物理アドレスにマッピングするように、ユニット内で仮想アドレスを物理アドレスにマッピングするための前記表を変更するステップとを含む、メモリ管理方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-197318 Applicant：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
特開平4-137077
半導体ディスク装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-244713 Applicant：株式会社東芝

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