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J-GLOBAL ID：200903030377267348

ドライエッチング方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994001966
Publication number (International publication number)：1995211694
Application date： Jan. 13, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 窒化シリコン層に対する選択比を充分に確保しつつ、酸化シリコン層をエッチングするドライエッチング方法を提供する。【構成】 窒化シリコン層2上の酸化シリコン層3を、フッ化チオカルボニルCSF2 ガスを用い、被エッチング基板を室温以下に制御しつつエッチングする。【効果】 酸化シリコン層は、Fラジカルとイオンアシストの併用モードでエッチングが進行する一方、下地の窒化シリコン層が露出すると、この表面にポリチアジルを主体とする窒化イオウ系化合物がエッチングストッパ層として形成され、高選択比と低ダメージが達成される。窒化イオウ系化合物は、エッチング終了後昇華除去できるので、パーティクル汚染等の虞れが無い。

Claim (excerpt)：

窒化シリコン系材料層上の酸化シリコン系材料層の選択ドライエッチングにおいて、分子内にチオカルボニル基とフッ素原子を有するフッ化チオカルボニル化合物を含むエッチングガスを用いて、被エッチング基板を室温以下に制御しながらエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/318 ,  H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 C