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J-GLOBAL ID：200903030379207105

誘電体薄膜及びその形成方法

Inventor： 上田 路人 ,  大塚 隆
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998133000
Publication number (International publication number)：1999330415
Application date： May. 15, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 容量低下の防止とリーク低減を同時に達成することができる誘電体薄膜とその形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 例えばBSTからなる第1の誘電体薄膜3を形成した後第1の熱処理を行い、さらに例えばBSTからなる第2の誘電体薄膜5を形成した後第2の熱処理を行う。この時、粒界絶縁物形成が、粒界に偏析するカーボン化合物の除去中または除去後となるため、リークパスが形成されないため、リーク電流が小さく、絶縁耐圧の高い誘電体薄膜を実現できる。また、微小な空洞に対してはもリーク抑制層を埋め込むことが可能となる。

Claim (excerpt)：

カーボンを含有する多結晶誘電体薄膜から少なくとも一部の前記カーボンを除去した後、前記誘電体薄膜の粒界に絶縁物を形成したことを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/33

FI (3)：

H01L 27/10 651 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/06 102