フォトレジスト単量体、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、および、半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：荒船博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999241743
Publication number (International publication number)：2000080124
Application date： Aug. 27, 1999
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】エッチング耐性、耐熱性および基板接着性はもちろん、光敏感性および通常のアルカリ現像液に対する溶解可能性を備えたフォトレジスト単量体を提供する。【解決手段】下記式(1)で示されるフォトレジスト単量体である。【化1】(式中、mは1または2である。)

Claim (excerpt)：

下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト単量体。【化1】(式中、mは1または2である。)

IPC (2)：

C08F 32/00 , G03F 7/039 601

FI (2)：

C08F 32/00 , G03F 7/039 601

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平3-251846
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-042742 Applicant：日本合成ゴム株式会社
特開昭50-058199

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