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J-GLOBAL ID：200903030382792230

多孔性物質

Inventor： クレイグ・エス・アレン ,  ニコイ・アナン ,  ロバート・エム・ブランケンシップ ,  マイケル・ケイ・ギャラガー ,  ロバート・エイチ・ゴア ,  アンジェロ・エー・ラモラ ,  ユジアン・ユー
Applicant, Patent owner： シップレーカンパニー エル エル シー
Agent (1)： 千田 稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000302537
Publication number (International publication number)：2001210142
Application date： Oct. 02, 2000
Publication date： Aug. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】 電子部品工業において有用な低誘電率の多孔性誘電体物質および該多孔性誘電体物質の製造方法を提供する。【解決手段】 a)除去可能なポリマーポロゲンを、B-段階の誘電体物質中に分散させ;b)B-段階の誘電体物質を硬化して、実質的にポロゲンを分解することなく誘電体マトリックス物質を形成させ;さらにc)誘電体マトリックス物質を、実質的に誘電体物質を分解することなく、少なくとも部分的にポロゲンを除去して多孔性誘電体物質を形成する条件に供する工程を含み;該ポロゲンがB-段階の誘電体物質と実質的に相溶性である、多孔性誘電体物質を製造する方法が開示される。

Claim (excerpt)：

a)除去可能なポリマーポロゲンを、B-段階の誘電体物質中に分散させ;b)B-段階の誘電体物質を硬化して、実質的にポロゲンを分解することなく誘電体マトリックス物質を形成させ;さらにc)誘電体マトリックス物質を、実質的に誘電体物質を分解することなく、少なくとも部分的にポロゲンを除去して多孔性誘電体物質を形成する条件に供する工程を含み;該ポロゲンがB-段階の誘電体物質と実質的に相溶性である、多孔性誘電体物質を製造する方法。

IPC (6)：

H01B 3/46 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  C08J 9/26 CFH ,  C08J 9/26 102 ,  C08L 83:04

FI (6)：

H01B 3/46 B ,  H01L 21/312 A ,  C08J 9/26 CFH ,  C08J 9/26 102 ,  C08L 83:04 ,  H01L 21/90 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 多孔質膜、その製造法及び物品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-023140   Applicant：日立化成工業株式会社, 旭硝子株式会社