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J-GLOBAL ID：200903030394693415

パターン形成用レジストおよびパターン形成方法

Inventor： 早瀬 留美子 ,  大西 廉伸 ,  仁木 博一 ,  小林 嘉仁 ,  親里 直彦 ,  早瀬 修二 ,  佐藤 一夫 ,  宮村 雅隆 ,  熊谷 明敏
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992100310
Publication number (International publication number)：1993181279
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、紫外線、電離放射線に対して高感度でかつ高解像性を有するパターン形成用レジストを提供しようとするものである。【構成】(A)下記化1に示す一般式(I)で表される酸により分解する置換基を有する化合物と、(B)光照射により酸を発生する化合物と、を含むことを特徴としている。【化1】ただし、式(I)中のR1 は1価の有機基、mは0または1以上の正の数、nは正の数を示す。

Claim (excerpt)：

(A)下記化1に示す一般式(I)で表される酸により分解する置換基を有する化合物と、(B)光照射により酸を発生する化合物と、を含むことを特徴とするパターン形成用レジスト。【化1】ただし、式(I)中のR1 は1価の有機基、mは0または1以上の正の数、nは正の数を示す。

IPC (3)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-321049
  
• 特表平6-502260