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J-GLOBAL ID：200903030395247184
電界放出カソード及び電界放出カソードの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
脇 篤夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993287263
Publication number (International publication number)：1995122178
Application date： Oct. 25, 1993
Publication date： May. 12, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 カソード電極と各々のエミッタコーンとの間に独立した抵抗領域部を有すると共に、エミッタコーンをゲートに対し均一な高さ及び距離をもって形成できるようにした電界放出カソードを提供する。【構成】 基板1上には複数の開口部6が設けられたカソード電極2が形成されていると共に、この開口部6内にはリング状の抵抗領域部7と、その中央部にエミッタコーン5が絶縁基板1上に形成されている。また、上記カソード電極2上には、例えばSiO2 からなる絶縁層3が形成され、この絶縁層3の上にはゲート電極4が形成されている。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に形成されたカソード電極と、該カソード電極上に形成された絶縁層と、該絶縁層の上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極と,上記絶縁層及び上記カソード電極とに設けられた開口部と、該開口部の底部に設けられた抵抗領域部と、上記開口部のほぼ中央部における、上記絶縁基板の上に形成された円錐状のエミッタとを備える電界放出カソードにおいて、上記カソード電極と上記エミッタとが、上記抵抗領域部を介して横方向に接続されていることを特徴とする電界放出カソード。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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