化学増幅系ネガ型レジスト材料

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩佐義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999053950
Publication number (International publication number)：2000250218
Application date： Mar. 02, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】レジストを薄膜化しても十分なエッチング耐性が得られ、十分な焦点深度を確保することができる化学増幅系ネガ型レジスト材料を提供する。【解決手段】ベース樹脂、光酸発生剤、架橋剤、及び一般式Si(OR)n R′4-n (式中、RおよびR′は互いに同一でも異なっていてもよい炭素数1〜8のアルキル基またはアリール基、nは1〜4の整数を示し、nが2,3または4のときRは全て同一でも異なっていてもよく、同様にnが1または2のときR′は全て同一でも異なっていてもよい)で表されるシラン単量体を含有する。

Claim (excerpt)：

ベース樹脂、光酸発生剤、架橋剤、及び一般式Si(OR)n R′4-n (式中、RおよびR′は互いに同一でも異なっていてもよい炭素数1〜8のアルキル基またはアリール基、nは1〜4の整数を示し、nが2,3または4のときRは全て同一でも異なっていてもよく、同様にnが1または2のときR′は全て同一でも異なっていてもよい)で表されるシラン単量体を含有することを特徴とする化学増幅系ネガ型レジスト材料。

IPC (3)：

G03F 7/038 601 , G03F 7/075 501 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/038 601 , G03F 7/075 501 , H01L 21/30 502 R

F-Term (13)：

2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025CB17 , 2H025CB45 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025DA18 , 2H025EA04 , 2H025FA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平4-366958
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-229442 Applicant：日本合成ゴム株式会社
画像反転陰画作用フォトレジスト
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-149596 Applicant：ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション

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