Pat

J-GLOBAL ID：200903030408542270

半導体の製造のための高エネルギー電子を生成するためのヘリコン波励振

Inventor： アーサー ウォレン モルビック ,  アルバート ロジャー エリンボー
Applicant, Patent owner： アメリカ合衆国
Agent (1)： 朝日奈 宗太
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997287435
Publication number (International publication number)：1998189551
Application date： Oct. 20, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 磁場の強さおよび(または)高周波出力を制御してヘリコンプラズマ源内の高エネルギー電子の生成を制御すること。【解決手段】 非絶縁体表面上に形成された絶縁体をエッチングするための処理であって、当該絶縁体の露出された表面に電荷を与える高エネルギー電子を発生する工程と、当該絶縁体の電荷を与えられた露出された表面をエッチングするイオンプラズマを形成する工程からなることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

非絶縁体表面上に形成された絶縁体をエッチングするための処理方法であって、当該絶縁体の露出表面に電荷を付与する高エネルギー電子を発生する工程と、当該絶縁体の電荷が付与された露出表面をエッチングするイオンプラズマを形成する工程からなる処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  H01J 27/16 ,  H01J 37/08 ,  H05H 1/46 ,  C23F 4/00

FI (5)：

H01L 21/302 B ,  H01J 27/16 ,  H01J 37/08 ,  H05H 1/46 L ,  C23F 4/00 A