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J-GLOBAL ID：200903030429817082

ドライエッチング方法

Inventor： 冨岡 和広 ,  伊藤 康浩 ,  林 久貴
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992191076
Publication number (International publication number)：1994037058
Application date： Jul. 17, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、炭素膜をドライエッチングする際に、炭素膜上のレジストパターンの寸法どおりに炭素膜を垂直形状にかつ高速にエッチングすることにより、高精度の炭素膜のマスクパターン形成を可能とするものである。【構成】 本発明は、少なくとも弗素および酸素を3対7ないしは99対1の比率で含有するガスにてプラズマを生成し、前記プラズマにてドライエッチングすることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

被エッチング基体に炭素薄膜を形成する工程と、前記炭素薄膜上にレジストパターンを形成する工程と、少なくとも弗素および酸素を3対7ないしは99対1の比率で含有するガスの雰囲気においてプラズマを生成し、前記プラズマによって前記炭素薄膜を前記レジストパターンに沿ってドライエッチングする工程と、を含むことを特徴とするドライエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-291913
  
• 特開昭63-220525
  
• 特開昭60-120526