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J-GLOBAL ID：200903030438579470

ハイブリッド磁気センサー

Inventor： 今井 秀秋 ,  岡田 一朗
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993327696
Publication number (International publication number)：1995181240
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高感度でかつ信頼性に優れたハイブリッド磁気センサーを提供することを目的とする。【構成】 高感度の直交パターンの磁性薄膜磁気抵抗素子と磁石からなる強磁性体のハイブリッド磁気センサーであって、磁性薄膜磁気抵抗素子、磁石、および磁性薄膜磁気抵抗素子からの信号の処理回路を一体に封止した構造のハイブリッド磁気センサー。【効果】 装置への組み込みが容易であり高信頼性である。

Claim (excerpt)：

磁性薄膜磁気抵抗素子の感磁部エレメントが直交パターンであること、該磁性薄膜磁気抵抗素子の感磁部パターンに磁場を印加する磁石が設けられていること、該磁石、該磁性薄膜磁気抵抗素子、および該磁性薄膜磁気抵抗素子からのアナログ信号の増幅およびヒステリシス回路を有する素子が一体に封止されていること、からなるハイブリッド磁気センサー

IPC (3)：

G01R 33/09 ,  G01D 5/18 ,  H01L 43/08