画像反転陰画作用フォトレジスト

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991149596
Publication number (International publication number)：1994027654
Application date： May. 24, 1991
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】放射感応性フォトレジスト組成物、特に水性アルカリに可溶な樹脂並びにナフトキノンジアジド増感剤を含む組成物に関し、通常は陽画作用する感光性組成物を陰画作用組成物に転換するための方法を提供する。【構成】アルカリに可溶な樹脂、1,2キノンジアジド-4-スルホニル化合物および酸により触媒作用を受ける架橋剤を溶剤混合物中に含む組成物を形成する。之を基材上に塗布乾燥し、画像を映す様に活性放射線で露光した後、その組成物を焼き付け、次いで活性放射線で全体露光し、現像して陰画像を作製する。本発明の画像反転陰画作用フォトレジストは優れた貯蔵安定性および貯蔵寿命を有する。

Claim (excerpt)：

陰画作用写真材料を調製するための方法であって、順に、a)混合物中に、i)組成物の固形分の重量に対して約1%〜約25%の、一般式(1)、(2)または(3)、すなわち(1)【化1】(式中、RはH、-X-Rb または【化2】であり、Xは単C-C結合、-O-、-S-、-SO2 -、であり、その少なくとも1つは-OZであり、Rb はH、アルキル、アリール、置換したアルキル、または置換したアリールである)、(2)【化3】(式中、R1 はH、または【化4】であり、Rc はH、-OH、-OYまたは-OZであり、少なくとも1つのRc基は-OYであり、その少なくとも1つは-OZである)、および(3)【化5】(式中、R2 はH、アルキル、アリール、置換したアルキル、または置換したアリールであり、Rd は-OH、-OYまたは-OZであり、少なくとも1つのRd 基は-OYであり、その少なくとも1つは-OZである)で表され、Yは1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホニルであり、Zが1,2-ナフトキノン-ジアジド-5-スルホニルまたは-W-R3 であり、Wはまたは置換したアリールである感光性化合物、ii) 組成物の固形分の重量に対して約75%〜約99%のノボラックおよび/またはポリビニルフェノール樹脂、およびiii)組成物の固形分の重量に対して約0.5%〜約20%の、該ジアジドを活性線放射で露光した時に発生する量および強度の酸の存在下で、該樹脂を工程(e)の加熱条件で架橋することができる架橋性化合物であって、式(R1 O-CHR3 )n -A-(CHR4 -OR2 )mを有し、Aは式BまたはB-Y-Bを有し、Bは置換した、または置換していない単核または縮合多核芳香族炭化水素または酸素または硫黄を含む複素環式化合物であり、Yは単結合、C1 -C4 アルキレンまたは-アルキレンジオキシであり、その鎖は酸素原子、-O-、-S-、-SO2 -、-CO-、CO2 、CONH-またはフェニレンジオキシにより中断されていてよく、R1 およびR2 はH、C1 -C6 アルキル、シクロアルキル、置換した、または置換していないアリール、アルカリール、またはアシルであり、R3 、R4 は独立してH、C1 -C4 アルキルまたは置換した、または置換していないフェニルであり、nは1〜3であり、mは0〜3であるが、n+mは1より大きい架橋性化合物、およびiv) 上記の組成物成分を溶解するのに十分な溶剤を含む組成物を形成すること、b)前記組成物を好適な基材上に塗布すること、およびc)前記塗布基材を約20°C〜約100°Cの温度で、本質的にすべての前記溶剤が蒸発するまで加熱すること、およびd)前記組成物を活性線、電子線、イオン線またはX線放射で画像を映す様に露光すること、およびe)前記塗布基材を少なくとも約95°C〜約160°Cの温度で、約10秒間以上加熱して前記樹脂を架橋させ、次いで所望により約200〜約500nmの範囲の活性線放射で、前記塗膜を反応させるのに十分な量で組成物の全体を露光すること、およびf)現像剤で前記組成物の露光していない非画像区域を除去すること、を特徴とする、方法。

IPC (5)：

G03F 7/022 , G03F 7/004 503 , G03F 7/004 515 , G03F 7/038 505 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 R , H01L 21/30 301 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭64-054441
特開昭62-038448
特開平2-191248

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