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J-GLOBAL ID：200903030454096578
電子密度記憶デバイス
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
津国 肇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992185608
Publication number (International publication number)：1995093831
Application date： Jul. 14, 1992
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、有機金属電荷移動錯体型データ記憶媒体に非常に高密度の情報記憶を達成する方法及び装置(デバイス)を提供することにある。【構成】 有機金属電荷移動錯体材料の電荷移動錯体膜よりなるデータ記憶媒体は、走査型トンネル顕微鏡のプローブ先端により媒体に電界を印加して媒体の表面に観測可能な電子密度の変化を生じさせることによって、1つの状態からもう1つの状態にスイッチングされ、2値データの記憶(書込み)がなされる。その電子密度の変化を測定することによりデータの取出しが行なわれ、書込み電界と同じ強度で反対極性の電界を加えることにより消去される。
Claim (excerpt)：
情報記憶デバイスに対してデータ・ビットの書込み、読取り及び消去を行う方法において:サブストレート及びこのサブストレート上に形成された有機金属電荷移動錯体材料の膜である電荷移動錯体膜よりなるデータ記憶媒体を用意するステップと;但し、上記電荷移動錯体膜は滑らかな表面形状を備えた平坦な表面と、ある範囲の厚さ及びスレッショルド電界強度とを有するものとする;電荷移動錯体膜の表面の非常に小さい限定された部分に電荷移動錯体膜のスレッショルド電界強度を超え、かつ電荷移動錯体膜の限定された部分の電子密度を変化させる第1の電界を印加することによってデータ・ビットを書込むステップと;電荷移動錯体膜のスレッショルド電界強度より弱い第2の電界を印加して上記の限定された部分の電子密度の変化を検出する、走査型トンネル顕微鏡によってデータ・ビットを読取るステップと;上記限定された部分に、上記書込み用に印加される第1の電界と反対の極性及び第1の電界の強度と同じ強度を有する第3の電界を印加することによってデータ・ビットを消去するステップと;からなる方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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