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J-GLOBAL ID：200903030456557122

p型3族窒化物の結晶成長方法および製造方法、並びに半導体素子

Inventor： 三樹 剛 ,  岩田 浩和 ,  皿山 正二
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000319949
Publication number (International publication number)：2002134416
Application date： Oct. 19, 2000
Publication date： May. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】 同時ドープによるp型ドーパントの取り込みサイトの安定化を最大限生かしたp型3族窒化物の結晶成長方法を得る。【解決手段】 良く洗浄したサファイア基板101を反応容器内のサセプターに固定する。容器内を真空排気後、水素雰囲気中でサーマルクリーニングを行う。その後、基板温度500°C、Ga源としてTMG30μmol/min、N源としてアンモニア2LM、キャリアガスとしてN2 15LMとH2 5LMを供給し、GaN低温バッファ層102を成膜した。本構成により、水素を含む条件で成膜することにより高品位の成膜が可能となり、成長後の冷却雰囲気を窒素原料のみ若しくは少なくとも窒素原料を含む雰囲気とすることで、アニール工程を経ることなく、低抵抗なp型3族窒化物が得られるとともに、低抵抗なp型電極が形成可能となる。

Claim (excerpt)：

p型ドーパントと同時に少なくとも1種のn型ドーパントをドープした3族窒化物の結晶成長において、前記3族窒化物を水素を含む雰囲気で結晶成長後に、窒素原料のみもしくは少なくとも窒素原料を含む雰囲気で結晶成長温度から降温すること、を特徴とするp型3族窒化物の結晶成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/38 ,  H01S 5/323

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/38 D ,  H01S 5/323

F-Term (31)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TB13 ,  4G077TC02 ,  4G077TC03 ,  4G077TC13 ,  4G077TC19 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD14 ,  5F045AF07 ,  5F045BB04 ,  5F045CA12 ,  5F073AA74 ,  5F073BA01 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24