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J-GLOBAL ID：200903030472325991

結晶性半導体薄膜形成方法

Inventor： 芦田 芳徳 ,  柳川 紀行 ,  福田 伸 ,  貞本 満
Applicant, Patent owner： 三井東圧化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994142738
Publication number (International publication number)：1996017738
Application date： Jun. 24, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【構成】 基板上に、シリコン原子を含む化合物気体のプラズマ分解により結晶性シリコン半導体薄膜形成する際に、シリコン原子を含む化合物気体を適当な温度(200 〜800 °C)に加熱した後、プラズマ分解処理を行うことにより、低基板温度でかつ、高速に結晶性シリコン半導体薄膜を形成する方法。【効果】 本発明により作製した結晶性半導体薄膜は、良好な結晶性、電気特性を有しかつ、従来技術にくらべ、低基板温度で高速に形成することができ、薄膜太陽電池や薄膜トランジスタに適用ができる。

Claim (excerpt)：

基板上に、シリコン原子を含む化合物気体を含んだ混合気体のプラズマ分解により半導体薄膜を形成するに際し、該シリコン原子を含む化合物気体を含んだ混合気体を予め加熱し、混合気体を充分高温度化した後に、プラズマ分解することを特徴とする結晶性半導体薄膜形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01L 29/78 311 B ,  H01L 31/04 X