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J-GLOBAL ID：200903030473746540

光弁用半導体装置

Inventor： 鷹巣 博昭
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994090349
Publication number (International publication number)：1995294959
Application date： Apr. 27, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 単結晶シリコンデバイス形成層上に微細な画素サイズを実現するための補助容量構造を有する光弁用半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 単結晶シリコンデバイス形成層上に形成された画素領域と駆動回路を同一チップ内に内蔵した光弁用半導体装置において、画素領域の単結晶シリコンデバイス形成層に溝を形成し、あるいは、絶縁膜を介して積層された多層構造を形成し、立体的に画素の補助容量を形成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコンデバイス形成層上に形成した駆動回路と画素領域を同一チップ内に内蔵した光弁用半導体装置において、該画素領域に補助容量を形成したことを特徴とする光弁用半導体装置。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 液晶表示装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-040722   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平4-133035
  
• 液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-215502   Applicant：ソニー株式会社